硅碳设计

按批次七阶段（上料置换 → 升温 → 沉硅 CVD → 二次升温 → 碳包覆 CVD → 降温 → 出料）做物料衡算，逐项给质量、kmol、mol% 与 wt%，阶段闭合差归零；含界区收支、Si/C/H/N 元素守恒、沉硅与包覆尾气组成、消耗定额与文档对照，可导出计算书。

按 CVD 反应气量反算反应段直径：档位扫描与推荐、混合气（SiH₄ / C₂H₂ + N₂）的入口 / 出口 / 床层平均体积流量、床层与布风板尺寸、测温点布置、结构简图随参数联动。含 Geldart C 类细粉团聚修正与出口气量放大校核。

按结构尺寸分段算容积：下直筒段 → 下锥段 → 反应段 → 上锥段 → 扩大段 → 封头直边 → 封头曲面（高度为 0 表示该段不存在），给各段容积 / 占比 / 内表面积 / 标高、壳体净重估算、目标容积反算；设备简图随尺寸联动标注，方案可保存、查询、导出。