硅碳流化床结构设计
按 CVD 反应气量反算反应段直径与床层结构，给出混合气（SiH₄/C₂H₂ + N₂）的入口 / 出口 / 床层平均体积流量 · 依据：ima 知识库《100kg 硅碳流化床技术包文件》（RT0101 Ø448、L/D≈10、310S、450~590 ℃）
①工艺要求（主控参数）
与活化炉不同：硅碳 CVD 的反应气量由工艺锁定（硅烷/乙炔流量 × 时长），载气不能反过来把气速"降下来"，所以直径只能由「让气速落在目标值」这一条来定。直径由四条约束共同决定：① 气速在 [Umin, Umax]；② L/D 在常规区间；③ 总高不超限；④ 静床高不低于下限。另注意 1 mol SiH₄ 裂解生成 2 mol H₂，出口气量约为入口的 1.3 倍，夹带须按出口气速校核。
更多参数（收率 / 物性 / 床层 / 布风板 / 约束 / 结构）
⑥混合气体积流量（沉硅 / 包覆段）
标况按 0 ℃、101.325 kPa、22.414 Nm³/kmol 折算；工况按各段操作温度用理想气体 ρ = PM/(RT) 折算。
入口用于布风板孔速与压降，出口用于夹带与滤芯，床层平均（进出口摩尔平均）用于流化判据与直径选型。
各阶段气体流量与气速
⑨床层测温点布置（T1~T6）
规则：T1 在底锥高度 1/2 处，T6 落在膨胀床面，其余按 Δ 均布；控制回路取 T1/T3/T5，安全联锁取 T2/T4/T6，两组各自 2oo3 表决。硅碳 CVD 温控精度要求 ±2 ℃，建议另设独立的硅烷裂解温度监测。
⑪流化床结构简图
简图按计算所得几何等比绘制（底锥、静床面、膨胀床面、自由段、扩大段、测温点标高均随参数联动）；尺寸数字单位 m。
⑫计算书